当前位置：首页 > 产品中心
二氧化硅深加工设备
二氧化硅深加工设备
低压化学气相沉积LPCVD镀膜微纳加工服务上海奥
加工能力： 材料：SiO2(氧化硅)，Si3N4(氮化硅)，Poly Si(多晶硅),TEOS SiO2（ 四乙氧基硅烷) 尺寸：212寸 设备容量：单炉25片，单炉50片 基本原理： 低压气相化学沉积（LPCVD）是一种常用的薄膜沉积技术，通常用于在晶体管、太 RIE802BCT是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。 标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。 该高性能系统能够进行高长宽比加 深硅蚀刻设备 RIE802BCT｜日本莎姆克株式会社 上海代表处该二氧化硅加工制备设备，通过设置的进料筒置入原二氧化硅颗粒，通过传动电机带动转动杆转动，使得转动杆带动研磨筒转动，颗粒较大的杂质会被隔离在筛板上，设置的插接杆沿固定管内 CNU 一种二氧化硅加工制备设备 Google Patents本实用新型属于消光剂制备技术领域,尤其为一种二氧化硅加工用干燥设备,包括进料机构、干燥筒、热气输送管、鼓风机、蒸汽加热器、电加热器、对流干燥装置和PLC与前道晶圆制造相比, 二氧化硅的加工设备2024年4月7日 硅石深加工工艺流程主要包括破碎、磨粉、筛分、提纯、熔融、精炼等步骤。 首先，将硅石原料进行破碎和磨粉，得到一定粒度的硅石粉。 然后，通过筛分和提纯，去除杂 硅石深加工未来发展趋势 2016年1月19日 以下详细介绍硅砂硅砂生产线深加工工艺流程及设备车间组成。 1硅砂生产线主要工艺 以砂岩为代表的硅石，其二氧化硅含量一般较高，对其进行的深加工一般采用选矿加工，主要是进行破碎磨矿和分级，得到适合工业要求 硅砂生产线深加工工艺流程河南红星机器
中科院苏州纳米所纳米加工平台AOE 刻蚀机（B202）
4 天之前 一、典型应用：深氧化硅、氮化硅刻蚀。 二、原理：使用电感耦合等离子体源将反应气体分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面 硅石深加工工艺流程主要包括破碎、磨粉、筛分、提纯、熔融、精炼等步骤。 首先，将硅石原料进行破碎和磨粉，得到一定粒度的硅石粉。 然后，通过筛分和提纯，去除杂质，提高硅石的纯度。 接下来，将提纯后的硅石进行熔融和精炼， 硅石深加工未来发展趋势 知乎专栏RIE400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。 RIE800iPB是为研究和开发目的而改装的。 该系统由Robert Bosch GmbH（德国）授权，能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向 深硅蚀刻设备 RIE400iPB｜日本莎姆克株式会社 上海代 2021年2月7日 中国粉体网讯 硅微粉是由天然石英（SiO2）或熔融石英（天然石英经高温熔融、冷却后的非晶态SiO2）经破碎、球磨（或振动、气流磨）、浮选、酸洗提纯、高纯水处理等多道工艺加工而成的微粉。 （封面图；来源：中国 【全景解析】硅微粉的性能、用途及深加工专题资讯 苏州硅时代，深耕MEMS领域近二十年，掌握光刻、刻蚀、镀膜、掺杂等10多种核心工艺，实现从芯片设计、工艺开发、流片生产到全面测试的一站式自主服务。我们凭借丰富的技术积累与实战经验，为企业、高校及科研院所提供定制化 苏州硅时代微纳加工MEMS加工MEMS代工器件封 2013年9月27日 感应耦合等离子体(ICP) 刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS 公司STS Multiplex 刻蚀机，研究了ICP 刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/ 钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响，分 ICP深硅刻蚀工艺研究 真空技术网
半导体集成技术工程研究中心 Semi
序号 工艺（设备）名称 描述（工艺能力） 1 电子束曝光 纳米级图形光刻；最高加速电压 100kV；最小线宽分辨率 8nm；拼接精度 20nm；套刻精度 9nm 2 紫外光刻 具备匀胶、曝光、显影、烘烤、去胶等全套光刻工艺手段；可以双面曝光；可刻各种规则和不规则的基片，最大基片尺寸 6"，分辨率 05μm；最小 主要功能： 主要用于硅、SOI微纳米结构刻蚀，具有Bosch、Cryo、Mixgas三种工艺，Bosch工艺可以实现选择比高、刻蚀速率快、侧壁粗糙度小的高深宽比刻蚀；Cryo工艺可通过液氮和氦背冷控制技术，把下电极的温度降低到零下150 左右，同样可以实现各项异性 深硅刻蚀 Deep Silicon Etching2024年11月21日 硅通孔技术，英文全称：ThroughSilicon Via，简写：TSV，即是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是25D/3D 封装的关键工艺技术之一，同时还有一先进封装工艺技术就是：玻璃通孔（TGV），今天我们主要跟大家分享的是：硅通孔（TSV）工艺技术。半导体先进封装“硅通孔（TSV）”工艺技术的详解 一般条件下SiO2不导电，因此SiO2是微芯片金属层间有效的绝缘体。 SiO2能防止上层金属和下层金属间短路，就像电线上的绝缘体可以防止短路一样。 对氧化物质量的要求是无针孔和空隙，它常常通过掺杂获得更多的有效流动性，可以更好地使污染扩散减到最小，注通常用化学气相淀积方法 半导体工艺与设备3加热工艺与设备 知乎专栏2021年1月8日 本发明属于石英深加工 技术领域。具体涉及一种超高纯度二氧化硅粉体材料工业化生产制备方法 的成套设备及工艺技术。这些将有助于于我国石英加工企业在安全高效、节能环保前提下的深加工生产技术及设备 一种超高纯度二氧化硅粉体材料工业化生产制备方法 热加工设备 薄膜沉积设备 干法刻蚀设备 湿法清洗与湿法刻蚀设备 电镀/电铸系统设备 PR, Si3N4, SiO2 √ NMC反应离子式深硅刻蚀系统(DRIEII) PR, Si3N4, SiO2 √ ADVANCED离子束刻蚀系统 PR, Si3N4, SiO2 √ √ √ √ √ PVATePla微波等离子去胶机/表面 干法刻蚀 先进电子材料与器件校级平台
芯云纳米技术（苏州）有限公司
公司简介 芯云纳米技术（苏州）有限公司 是一家专注于微机电系统（MEMS）器件设计与加工的高科技公司，公司位于具有完整的微纳制造上下游配套产业链和产业集聚氛围的苏州工业园区。团队成员来自于德州仪器, AMD等外企，中科院等知名研究所和高校，在MEMS领域拥有丰富的研发和工艺储备，可以 加工掩蔽材料所需的主要加工设备/步骤。 我们在此报告了一种蚀刻深度大于600微米的熔融石英的方法，同时使用抗HF的光敏抗蚀，保持基底没有凹坑并保持适合生物成像的抛光蚀刻表面。超深熔融石英玻璃蚀刻 知乎由於此網站的設置，我們無法提供該頁面的具體描述。二氧化硅的生产方法和制作工艺流程，常用原料有哪些前言 硅微粉是由 天然石英 （SiO2）或 熔融石英 （天然石英经高温熔融、冷却后的非晶态SiO2）经破碎、球磨（或振动、气流磨）、浮选、酸洗提纯、高纯水处理等多道工艺加工而成的微粉。 硅微粉 硅微粉的性能1硅微粉除了具备热膨胀 硅微粉的性能、用途及深加工 知乎2024年1月22日 负责承接所内、所外相关二氧化硅、氮化硅的淀积 PECVD，二氧化硅、氮化硅等介质膜刻蚀 AOE 和硅的 ICP 刻蚀需求，完成相关科研任务工艺，同时负责 三台大型生产设备和一台检测设备的操作及维修维护。半导体集成技术工程研究中心 Semi经收集后暂存于固废仓库，作为后续二氧化硅深加工利用的原材料使用，相关利 用项目已通过环评；9原环评一般固体废弃物执行《一般工业固体废物贮存、处置污染控制标准》 （GB185992001），实际一般固废执行《一般工业固体废物贮存和填埋污染控制江山市华顺有机硅有限公司年产 2万吨高端有机硅 DMC
硅深刻蚀工艺清华大学微纳加工中心 Tsinghua University
2022年8月17日 1、25微米线宽 75微米深的硅槽刻蚀工艺案例 设备名称：硅深刻蚀系统 设备型号：SPTS Omega LPX Rapier 25微米线宽 75微米深的硅槽刻蚀形貌图 清华大学微纳加工中心 010 北京市海淀区清华大学集成电路本设备采用液态Ga离子源，离子束成像分辨率达25nm @ 30kV，加工束流1 pA50 nA可选。在50nm线宽条件下，加工材料为SiO2，加工深宽比可优于5:1。并配备Pt,C,Au, SiO2,XeF2五通道气体源，可实现辅助性沉积或刻蚀。浙江大学极端光学技术与仪器全国重点实验室体微加工技术 体微加工技术：通过对硅衬底材料进行 深硅刻蚀 工艺，得到较大纵向尺寸的微机械结构。深硅刻蚀工艺为 湿法刻蚀 或干法刻蚀。该工艺的优点是获得的结构几何尺寸较大、机械性能较好。（1）湿法刻蚀综述：MEMS制造工艺研究进展 知乎深硅蚀刻 Samco是日本半导体工艺设备制造商中家获得博世工艺许可的公司。使用我们最新的Tornado ICP®专利技术和利用博世工艺，Samco的Si DRIE系统已被证明在研发和生产中的深层、垂直、高速Si深层蚀刻方面非常有效。深硅蚀刻｜日本莎姆克株式会社 上海代表处由於此網站的設置，我們無法提供該頁面的具體描述。从硅石到金属硅再到高纯度硅的制作工艺 百家号2018年4月20日 硅的热氧化在二氧化硅薄膜层中产生压应力。产生应力的原因有两个：二氧化硅分子比硅原子占据更大的体积，以及硅和二氧化硅的热膨胀系数不匹配。应力取决于二氧化硅层的总厚度，可以达到数百MPa。结果，热生长 有谁知道MEMS制造涉及哪些工艺及设备？求大神介绍？
代工首页爱立特微电子有限公司
爱立特微电子依托于华北、华东、华南以及西南地区国内主流的的微纳加工平台为客户提供专业的流片服务。公司的技术支持人员多数来自中科院、国内知名高校的微电子半导体领域，普遍具备国际主流 FAB 厂，主流设备厂商的从业经历，具有丰富的设计及研发能力。DRIE，全称是Deep Reactive Ion Etching，中文是深 反应离子刻蚀，是一种主要用于微机电系统的干法腐蚀工艺。 新闻 贴吧 知道 网盘 图片 视频 地图 文库 资讯 采购 百科 百度首页 登录 注册 进入词条 DRIE 百度百科12 刻蚀速率低至15nm/min (4寸晶圆，SiO2 膜）； 13 刻蚀均匀性 ≤2% (4寸晶圆，SiO2膜)。 3 基本原理 离子束刻蚀 非金属、氧化物、氮化物等不同材料，多层金属堆叠等结构，纳米级浅层深度的刻蚀工艺加工服务。 设备负责人：张雁冰 zhangyb@ SQDL（已停用） ShanghaiTech2024年4月7日 硅石是一种常见的无机非金属矿物，其主要成分为二氧化硅（SiO2）。硅石深加工是指对硅石进行一系列物理和化学处理，以获得高纯度、高附加值的硅系列产品。硅石深加工的产品包括硅砂、硅酸钠、硅酸乙酯、硅酸钾、多晶硅等，广泛应用于建筑、电子、化工、冶金、陶瓷 硅石深加工未来发展趋势 2015年7月14日 掩模图形，深紫外光刻，*(;刻蚀将抗蚀剂图形转 移到二氧化硅上。电子束曝光可以在计算机控制下直接产生所 要求的图形，且修改容易，是迄今为止分辨率最高 的一种实用曝光手段，是目前已知纳米加工技术的 唯一手段。但电子束曝光中，电子在抗蚀剂和基片二氧化硅的反应离子刻蚀（PDF） 豆丁网反应离子蚀刻机: 本刻蚀机刻蚀方式：RIE模式。刻蚀精度：1微米。主要刻蚀介质：Si3N4、Si、POLYSi、SiO2刻蚀尺寸：4英寸及以下及切割片。选择比、均匀性良好。清华大学大型仪器共享服务平台 Tsinghua University
激光切割 解决方案 DISCO Corporation
烧蚀加工 烧蚀加工是通过在极短的时间内将激光能量集中在微小的区域，从而使固体升华、蒸发的加工方法。 隐形切割 TM 加工 隐形切割是将激光聚光于工件内部，在工件内部形成改质层，通过扩展胶膜等方法将工件分割成芯片的切割方法 利用激光进行蓝宝石2021年6月29日 6月23日，福耀通辽硅业200万吨硅砂深加工项目奠基仪式在内蒙古通辽市科左后旗努古斯台镇项目区举行。 据了解，福耀通辽硅业200万吨硅砂深加工项目计划总投资7亿人民币，项目分两期进行建设，一期计划投资2亿元，建设硅砂开发及硅砂深加工车间、仓库与生活区等，预计明年建成试产，预期税收 福耀通辽硅业200万吨硅砂深加工项目奠基 产业新闻 2021年2月7日 中国粉体网讯 硅微粉是由天然石英（SiO2）或熔融石英（天然石英经高温熔融、冷却后的非晶态SiO2）经破碎、球磨（或振动、气流磨）、浮选、酸洗提纯、高纯水处理等多道工艺加工而成的微粉。 （封面图；来源：中国 【全景解析】硅微粉的性能、用途及深加工专题资讯 苏州硅时代，深耕MEMS领域近二十年，掌握光刻、刻蚀、镀膜、掺杂等10多种核心工艺，实现从芯片设计、工艺开发、流片生产到全面测试的一站式自主服务。我们凭借丰富的技术积累与实战经验，为企业、高校及科研院所提供定制化 苏州硅时代微纳加工MEMS加工MEMS代工器件封 2013年9月27日 感应耦合等离子体(ICP) 刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS 公司STS Multiplex 刻蚀机，研究了ICP 刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/ 钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响，分 ICP深硅刻蚀工艺研究 真空技术网序号 工艺（设备）名称 描述（工艺能力） 1 电子束曝光 纳米级图形光刻；最高加速电压 100kV；最小线宽分辨率 8nm；拼接精度 20nm；套刻精度 9nm 2 紫外光刻 具备匀胶、曝光、显影、烘烤、去胶等全套光刻工艺手段；可以双面曝光；可刻各种规则和不规则的基片，最大基片尺寸 6"，分辨率 05μm；最小 半导体集成技术工程研究中心 Semi
深硅刻蚀 Deep Silicon Etching
主要功能： 主要用于硅、SOI微纳米结构刻蚀，具有Bosch、Cryo、Mixgas三种工艺，Bosch工艺可以实现选择比高、刻蚀速率快、侧壁粗糙度小的高深宽比刻蚀；Cryo工艺可通过液氮和氦背冷控制技术，把下电极的温度降低到零下150 左右，同样可以实现各项异性 2024年11月21日 硅通孔技术，英文全称：ThroughSilicon Via，简写：TSV，即是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是25D/3D 封装的关键工艺技术之一，同时还有一先进封装工艺技术就是：玻璃通孔（TGV），今天我们主要跟大家分享的是：硅通孔（TSV）工艺技术。半导体先进封装“硅通孔（TSV）”工艺技术的详解